FDMS8558SDC介绍:
描述 MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 38A(Ta),90A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) Dual Cool?56
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?,SyncFET??
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Ta),90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.5 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5118pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),89W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Dual Cool?56
封装/外壳 8-PowerTDFN
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
安森美半导体致力于推动高能效创新,帮助客户减少全球能源消耗。该公司是一家领先的半导体解决方案供应商,其提供的全面产品组合包括高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、计时、连接、分立、SoC以及定制器件。
免责声明: 以上所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是,晶体管 FDMS8558SDC MOSFET - 单,类型:分立半导体产品的信息