型号 | NTMS4177PR2G | 厂家 | ON |
批号 | 18+ | 封装 | SOP-8 |
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 12 毫欧 @ 11.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 24V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 840mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
全新原装 正品现货
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人:陈小姐
联系方式:0755-61352209/QQ2851099672/13926551329
地址:深圳市福田区中航路都会B座31G
欢迎来bom表配单 更多型号可随时联系我
免责声明: 以上所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是,NTMS4177PR2G,型号:NTMS4177PR2G 厂家:ON 批号:18+ 封装:SOP-8的信息