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IRLML6401TRPBF 全新原装正品现货，款到立即发货
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，IRLML6401TRPBF 全新原装正品现货，款到立即发货

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  • 发 货 期： 7 天内发货
  • 所 在 地： 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期： 2019年02月25日
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  • 联系人：洪宝宇 (先生) QQ 2881541896
  • 电话：17862669251
  • 传真：-
  • 邮件：hongby@buyele.net
  • 地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
品牌英飞凌型号IRLML6401TRPBF
产品属性选取全部项目
类别
包装 ?带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型P 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12nC @ 5V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）633pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散（最大值）1.3W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装Micro3?/SOT-23
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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