型号 | FDC604P | 厂家 | ON |
批号 | 19+ | 封装 | SOT23-6 |
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 5.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1926pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
全新原装 正品现货
深圳市柏新电子科技有限公司
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