FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 630mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 600mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） .74nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±6V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 60.67pF @ 16V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 280mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-523

封装/外壳 SOT-523

文档

EDA / CAD 模型 Available In the Digi-Key KICad Library

HTML 规格书 DMG1012T

PCN 组件/产地 Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018

Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012

PCN 设计/规格 Bond Wire 11/Nov/2011

RoHS指令信息 Diodes RoHS 3 Cert

图像和媒体

产品相片 SOT-523