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BSC252N10NSF G正品保障公司现货量大从优BSC252N10NSF G
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  • 发布日期: 2019年06月10日
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型号BSC252N10NSF厂家INFINEON
批号18+封装TDSON
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 40 A
最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻 25.2 mΩ
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 TDSON
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
晶体管配置
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 78 W
最低工作温度 -55 °C
每片芯片元件数目 1
宽度 6.35mm
典型接通延迟时间 11 ns
典型关断延迟时间 16 ns
晶体管材料 Si
尺寸 5.35 x 6.35 x 1.1mm
长度 5.35mm
最高工作温度 +150 °C
典型输入电容值@Vds 860 pF @ 50 V
系列 OptiMOS 2
高度 1.1mm
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V
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