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发 货 期: 7 天内发货
所 在 地: 北京 北京市辖区 朝阳区
发布日期: 2019年06月12日
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电话:18315906155
传真:-
邮件:qihui@buyelec.net
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的详细信息
型号
IPB020NE7N3GATMA1
厂家
INFINEON
批号
18+
封装
D2PAK
属性
数值
通道类型
N
最大连续漏极电流
120 A
最大漏源电压
75 V
最大漏源
电阻
值
0.002 Ω
最大栅阈值电压
3.8V
最小栅阈值电压
2.3V
最大栅源电压
-20 V、+20 V
封装类型
D2PAK (TO-263)
安装类型
表面贴装
晶体管配置
单
引脚数目
3
通道模式
增强
类别
功率 MOSFET
最大功率耗散
300 W
典型接通延迟时间
19 ns
宽度
9.45mm
每片芯片元件数目
1
典型栅极电荷@Vgs
155 nC @ 10 V
高度
4.57mm
系列
OptiMOS 3
典型输入
电容
值@Vds
10800 pF @ 37.5 V
最高工作温度
+175 °C
长度
10.31mm
典型关断延迟时间
70 ns
尺寸
10.31 x 9.45 x 4.57mm
最低工作温度
-55 °C
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