| 型号 | 2N7002PW | 厂家 | NXP/恩智浦 |
| 批号 | 17+ | 封装 | SOT-323 |
数据列表 2N7002PW Datasheet;
Discrete SemIConductor Selection Guide;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 310mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） .8nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 260mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-70
封装/外壳 SC-70，SOT-323
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