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AUIRFS8409-7P原装正品海量库存现货发售英飞凌
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  • 所 在 地: 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期: 2019年07月01日
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型号AUIRFS8409-7P厂家INFINEON
封装TO-263-7  
标准包装  50
包装  管件 
零件状态在售
类别

FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)240A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)0.75 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)460nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)13975pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)375W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D2PAK(7-Lead)
封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)
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