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CSD18501Q5A现货供应优势出售
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  • 发布日期: 2019年07月08日
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型号CSD18501Q5A厂家TI
批号18+封装VSONP-8
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 155 A
最大漏源电压 40 V
最大漏源电阻 4.3 mΩ
最大栅阈值电压 2.3V
最小栅阈值电压 1.4V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 SON
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
晶体管配置
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 3.1 W
宽度 5mm
每片芯片元件数目 1
典型接通延迟时间 4.7 ns
系列 NexFET
典型输入电容值@Vds 3200 pF @ 20 V
最高工作温度 +150 °C
长度 5.8mm
晶体管材料 Si
典型关断延迟时间 20 ns
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V
尺寸 5.8 x 5 x 1.1mm
高度 1.1mm
最低工作温度 -55 °C
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