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CSD17578Q3A正品保障公司现货量大从优CSD17578Q3A
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  • 所 在 地： 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期： 2019年07月19日
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属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 14 A
最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 9.4 mΩ
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 VSCONP
安装类型 表面贴装
晶体管配置 单
引脚数目 8
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 3.2 W
正向二极管电压 1V
正向跨导 48S
典型关断延迟时间 13 ns
晶体管材料 Si
典型接通延迟时间 2 ns
宽度 3.5mm
每片芯片元件数目 1
最低工作温度 -55 °C
尺寸 3.5 x 3.5 x 0.9mm
长度 3.5mm
典型栅极电荷@Vgs 7.9 nC @ 4.5 V
最高工作温度 +150 °C
高度 0.9mm
系列 NexFET
典型输入电容值@Vds 1150 pF @ 15 V
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