| 品牌 | VISHEY | 型号 | SI2302CDS-T1-GE3 |
| 封装形式 | * | | |
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 5.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 860 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
系列: SI2
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.6 mm
商标: Vishay / SilIConix
正向跨导 - 最小值: 13 S
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
天阳诚业何小姐
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