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品牌IXYS型号IXFP12N65X2

IXFP12N65X2

，IXFP12N65X2

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  • 发布日期： 2019年09月30日
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FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）310 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）18.5nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1134pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）180W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
图文
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