型号 | C3M0065100K | 厂家 | CREE/科锐 |
批号 | NA | 封装 | TO-247 |
数据列表 C3M0065100K;
标准包装 30
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 C3M?
规格
FET 类型 N 通道
技术 SICFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 20A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 15V
Vgs(最大值) +19V,-8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 600V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 113.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-4L
封装/外壳 TO-247-4
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