| 型号 | IRF7471TRPBF | 厂家 | IR |
| 批号 | NA | 封装 | SOP8 |
数据列表 IRF7471PbF;
标准包装 4,000
包装 标准卷带
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET?
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2820pF @ 20V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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