| 型号 | SI1401EDH-T1-GE3 | 厂家 | VISHAY/威世 |
| 批号 | 19+ | 封装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
数据列表 SI1401EDH;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET?
其它名称 SI1401EDH-T1-GE3TR
SI1401EDHT1GE3
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 34 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 8V
Vgs（最大值） ±10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta），2.8W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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