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1N5262B-TAP二极管齐纳 51V 500mW深圳市鸿裕兴电子 1N5250B-TAP
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，1N5262B-TAP二极管齐纳 51V 500mW深圳市鸿裕兴电子 1N5250B-TAP

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2021年12月20日
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型号1N5262B-TAP厂家Vishay
封装DO-35  
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1117M3
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类别 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay General SemIConductor - Diodes Division 系列 Automotive, AEC-Q101 包装 带盒（TB） 零件状态 在售 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) 51 V 容差 ±5% 功率 - 最大值 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt) 125 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 39 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 200 mA 工作温度 -65°C ~ 175°C 安装类型 通孔 封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装 DO-35（DO-204AH） 基本产品编号 1N5262

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