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2N7002LT1G 表面贴装型 N 通道 60 V 115mA(Tc) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
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  • 发布日期: 2023年04月04日
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型号2N7002LT1G厂家ON
批号22+封装Reel
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产品状态
在售
FET 类型

技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

驱动电压
5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)
2.5V @ 250μA
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
50 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散
225mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型

供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳

基本产品编号

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