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EEPROM存储器 M24M02-DRMN6TP SOIC-8
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,EEPROM存储器 M24M02-DRMN6TP SOIC-8

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  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2024年02月26日
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型号M24M02-DRMN6TP厂家ST
批号23+封装SOIC-8
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详细参数
参数名称参数值
Source Content uidM24M02-DRMN6TP
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合 符合
生命周期Active
Objectid1125520758
包装说明SOP-8
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码3A991.B.1.B.1
HTS代码8542.32.00.51
Factory Lead Time32 weeks 4 days
风险等级1.28
Samacsys DescriptionSTMicroelectronics M24M02-DRMN6TP EEPROM Memory, 2Mbit, 450ns, 1.8 → 5.5 V 8-Pin SOIC
Samacsys ManufacturerSTMicroelectronics
Samacsys Modified On2023-03-07 16:10:32
YTEOL9.03
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DMMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE
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