TB1352FNG(DRY,EL)

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TB1352FNG(DRY,EL)
深圳廊盛科技有限公司
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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TB1352FNG(DRY,EL) 技术参数

TB-133.330MBD-T 功能描述:133.33MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:TB 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:MEMS（硅）频率:133.33MHz 功能:启用/禁用输出:CMOS 电压 - 电源:3.3V 频率稳定度:±25ppm 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大值）:30mA 等级:- 安装类型:表面贴装大小/尺寸:0.197" 长 x 0.126" 宽（5.00mm x 3.20mm）高度:0.032"（0.80mm）封装/外壳:4-SMD，无引线（DFN，LCC）电流 - 电源（禁用）（最大值）:- 标准包装:1 TB1300M-13-F 功能描述:THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 导通:160V 电压 - 断态:120V 电压 - 通态:3.5V 电流 - 峰值脉冲（8/20μs）:250A 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:50A 电流 - 保持（Ih）:150mA 元件数:1 电容:90pF 封装/外壳:DO-214AA，SMB 标准包装:1 TB1300M-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 导通:160V 电压 - 断态:120V 电压 - 通态:3.5V 电流 - 峰值脉冲（8/20μs）:250A 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:50A 电流 - 保持（Ih）:150mA 元件数:1 电容:90pF 封装/外壳:DO-214AA，SMB 标准包装:3,000 TB1300L-13-F 功能描述:THYRISTOR PROTECT 30A BIDIR SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 导通:160V 电压 - 断态:120V 电压 - 通态:3.5V 电流 - 峰值脉冲（8/20μs）:150A 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:30A 电流 - 保持（Ih）:150mA 元件数:1 电容:60pF 封装/外壳:DO-214AA，SMB 标准包装:3,000 TB1300H-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BIDIR 100A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 导通:160V 电压 - 断态:120V 电压 - 通态:3.5V 电流 - 峰值脉冲（8/20μs）:400A 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:100A 电流 - 保持（Ih）:150mA 元件数:1 电容:120pF 封装/外壳:DO-214AA，SMB 标准包装:3,000 TB-14.7456MCD-T TB-14.7456MCE-T TB-14.7456MDD-T TB-14.7456MDE-T TB1401610000G TB14016100J0G TB1421600000G TB14216000J0G TB-15 TB-15.000MBD-T TB-15.000MBE-T TB-15.000MCD-T TB-15.000MCE-T TB-15.000MDD-T TB-15.000MDE-T TB-15.8682MBD-T TB-15.8682MBE-T TB-15.8682MCD-T