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TB157S

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  • TB157S
    TB157S

    TB157S

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 105600

  • Secos

  • TBS

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

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  • 制造商
  • SECOS
  • 制造商全称
  • SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
  • 功能描述
  • Voltage 50V ~ 1000V 1.5 Amp Silicon Bridge Rectifiers
TB157S 技术参数
  • TB1500M-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 导通:180V 电压 - 断态:140V 电压 - 通态:3.5V 电流 - 峰值脉冲(8/20μs):250A 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):50A 电流 - 保持(Ih):150mA 元件数:1 电容:90pF 封装/外壳:DO-214AA,SMB 标准包装:3,000 TB1500L-13-F 功能描述:THYRISTOR PROTECT BIDIR 30A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 导通:180V 电压 - 断态:140V 电压 - 通态:3.5V 电流 - 峰值脉冲(8/20μs):150A 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):30A 电流 - 保持(Ih):150mA 元件数:1 电容:60pF 封装/外壳:DO-214AA,SMB 标准包装:1 TB1500L-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BI-DIR 30A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 导通:180V 电压 - 断态:140V 电压 - 通态:3.5V 电流 - 峰值脉冲(8/20μs):150A 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):30A 电流 - 保持(Ih):150mA 元件数:1 电容:60pF 封装/外壳:DO-214AA,SMB 标准包装:3,000 TB1500H-13-F 功能描述:THYRISTOR PROTECT BIDIR 100A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 导通:180V 电压 - 断态:140V 电压 - 通态:3.5V 电流 - 峰值脉冲(8/20μs):400A 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):100A 电流 - 保持(Ih):150mA 元件数:1 电容:120pF 封装/外壳:DO-214AA,SMB 标准包装:1 TB-150.000MBD-T 功能描述:150MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:TB 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:MEMS(硅) 频率:150MHz 功能:启用/禁用 输出:CMOS 电压 - 电源:3.3V 频率稳定度:±25ppm 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源(最大值):30mA 等级:- 安装类型:表面贴装 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.126" 宽(5.00mm x 3.20mm) 高度:0.032"(0.80mm) 封装/外壳:4-SMD,无引线(DFN,LCC) 电流 - 电源(禁用)(最大值):- 标准包装:1 TB-16.0972MCD-T TB-16.0972MCE-T TB-16.0972MDD-T TB-16.0972MDE-T TB-16.384MBD-T TB-16.384MBE-T TB-16.384MCD-T TB-16.384MCE-T TB-16.384MDD-T TB-16.384MDE-T TB1601610000G TB16016100J0G TB1621600000G TB16216000J0G TB-17 TB1701610000G TB17016100J0G TB170EI10
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