TE28F800C3BC70

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制造商
INTEL
制造商全称
Intel Corporation
功能描述
Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)

TE28F800C3BC70 技术参数

TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线）电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR TE28F640P30B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) TE28F640J3D75B 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ TE300B18RJ TE300B1K0J TE300B1K2J TE300B1K5J TE300B1K8J TE300B1R0J TE300B1R2J TE300B1R5J TE300B1R8J TE300B220RJ TE300B22RJ TE300B270RJ TE300B27RJ TE300B2R2J TE300B2R7J TE300B330RJ TE300B33RJ TE300B390RJ