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TE3012M-PRINTER

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    TE3012M-PRINTER

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • TE CONNECTIVITY / RAYCHEM

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装质量保障

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  • 1
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  • 制造商
  • TE Connectivity
  • 功能描述
TE3012M-PRINTER 技术参数
  • TE28F800C3BD70 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR) TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR TE28F640P30B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR) TE30A0503Q01 TE30A0903B01 TE30A0903F01 TE30A1202B01 TE30A1202C01 TE30A1202F01 TE30A1202N01 TE30A1202Q01 TE30A1203B01 TE30A1203C01 TE30A1203F01 TE30A1203N01 TE30A1203Q01 TE30A1502B01 TE30A1502C01 TE30A1502F01 TE30A1502N01 TE30A1502Q01
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