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TE502S08-25LC

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  • TE502S08-25LC
    TE502S08-25LC

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖先生

    电话:13612973190

    地址:广东省深圳市华强北上航大厦西座410室

  • 9000

  • Rochester Electronics, LL

  • -

  • 22+

  • -
  • 原厂渠道,现货配单

  • TE502S08-25LC
    TE502S08-25LC

    TE502S08-25LC

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Intel

  • 原厂封装!

  • 09+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • TE502S08-25LC
    TE502S08-25LC

    TE502S08-25LC

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TRISCEND

  • TQFP

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  • 代理此型号,原装正品现货!

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
TE502S08-25LC 技术参数
  • TE500B22RJ 功能描述:RES CHAS MNT 22 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE,CGS 包装:散装 零件状态:有效 电阻(欧姆):22 容差:±5% 功率(W):500W 成分:绕线 温度系数:±440ppm/°C 工作温度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃,安全 涂层,外壳类型:硅酮涂层 安装特性:支架 大小/尺寸:1.969" 直径 x 12.441" 长(50.00mm x 316.00mm) 高度:- 引线形式:焊片 封装/外壳:径向,管状 标准包装:5 TE500B220RJ 功能描述:RES CHAS MNT 220 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE,CGS 包装:散装 零件状态:有效 电阻(欧姆):220 容差:±5% 功率(W):500W 成分:绕线 温度系数:±440ppm/°C 工作温度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃,安全 涂层,外壳类型:硅酮涂层 安装特性:支架 大小/尺寸:1.969" 直径 x 12.441" 长(50.00mm x 316.00mm) 高度:- 引线形式:焊片 封装/外壳:径向,管状 标准包装:5 TE500B10RJ 功能描述:RES CHAS MNT 10 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE,CGS 包装:散装 零件状态:有效 电阻(欧姆):10 容差:±5% 功率(W):500W 成分:绕线 温度系数:±440ppm/°C 工作温度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃,安全 涂层,外壳类型:硅酮涂层 安装特性:支架 大小/尺寸:1.969" 直径 x 12.441" 长(50.00mm x 316.00mm) 高度:- 引线形式:焊片 封装/外壳:径向,管状 标准包装:5 TE500B100RJ 功能描述:RES CHAS MNT 100 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE,CGS 包装:散装 零件状态:有效 电阻(欧姆):100 容差:±5% 功率(W):500W 成分:绕线 温度系数:±440ppm/°C 工作温度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃,安全 涂层,外壳类型:硅酮涂层 安装特性:支架 大小/尺寸:1.969" 直径 x 12.441" 长(50.00mm x 316.00mm) 高度:- 引线形式:焊片 封装/外壳:径向,管状 标准包装:5 TE48F4400P0VB00A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ TE50B1K2J TE50B1K5J TE50B1K8J TE50B1R0J TE50B1R2J TE50B1R5J TE50B1R8J TE50B220RJ TE50B22RJ TE50B270RJ TE50B27RJ TE50B2R2J TE50B2R7J TE50B330RJ TE50B33RJ TE50B390RJ TE50B39RJ TE50B3R3J
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