THS501K0J

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功能描述
线绕电阻器 - 底架安装 THS50 1K0 5%
RoHS
否
制造商
Vishay/Dale
电阻
7 Ohms
容差
1 %
功率额定值
100 W
温度系数
50 PPM / C
系列
RH
工作温度范围
- 55 C to + 250 C
尺寸
46.02 mm Dia. x 46.02 mm W x 88.9 mm L x 44.45 mm H
封装
Bulk
产品
Power Resistors Wirewound Aluminum Housed

THS501K0J 技术参数

THS5010RJ 功能描述:RES CHAS MNT 10 OHM 5% 50W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:THS，CGS 包装:托盘零件状态:有效电阻（欧姆）:10 容差:±5% 功率（W）:50W 成分:绕线温度系数:±50ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 200°C 特性:- 涂层，外壳类型:铝安装特性:法兰大小/尺寸:2.008" 长 x 1.181" 宽（51.00mm x 30.00mm）高度:0.669"（17.00mm）引线形式:焊片封装/外壳:轴向，盒标准包装:100 THS4631DR 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNRG4 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNR 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNG4 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS50270RJ THS5027RJ THS502K2J THS502K7J THS502R0J THS502R2J THS502R7J THS50330RJ THS5033KJ THS5033RJ THS50390RJ THS5039RJ THS503K3J THS503R3J THS503R9J THS50470RJ THS5047KJ THS5047RJ