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TPS-15L

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • TPS-15L
    TPS-15L

    TPS-15L

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • BUSSMANN

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • TPS-15L
    TPS-15L

    TPS-15L

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • Eaton

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
TPS-15L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 保险丝 15A
  • RoHS
  • 制造商
  • Littelfuse
  • 产品
  • Surface Mount Fuses
  • 电流额定值
  • 0.5 A
  • 电压额定值
  • 600 V
  • 保险丝类型
  • Fast Acting
  • 保险丝大小/组
  • Nano
  • 尺寸
  • 12.1 mm L x 4.5 mm W
  • 安装风格
  • 端接类型
  • SMD/SMT
  • 系列
  • 485
TPS-15L 技术参数
  • TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.17A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.17A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.18A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:710mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:791mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.27A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:504mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD TPS2010ADG4 TPS2010ADR
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