配单专家企业名单

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供应商
数量
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封装
批号
价格
说明
操作

TPS16632RGET
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
200
TI
NA
23+
-
热交换电压控制器

TPS16632RGET
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
TI
qfp
20+
-
原装正品现货,QQ1585971070

TPS16632RGET
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
24-VQFN（4x4）
21+
-
全新原装、现货库存，欢迎询价

TPS16632RGET
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
TI(德州仪器)
VQFN-24(4x4)
刚到货
-
代理可含税开票

TPS16632RGET
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：欧阳先生
电话：13714291754
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
4800
TI
24-VFQFN
22+
-

TPS16632RGET
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王俊杰
电话：188185984650755-23763516
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Texas Instruments
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

TPS16632RGET
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
VQFN (RGE)
21
-
瑞智芯只有原装

TPS16632RGET
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
22+
10000
sop8
-
进口原装现货支持实单价优

TPS16632RGET
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：张国龙
电话：177226252410755-21008751
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Texas Instruments
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

TPS16632RGET
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
6000
TI/德州仪器
VQFN (RGE)|24
22+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

TPS16632RGET
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
2794
TI(德州仪器)
22+
-
全新原装现货

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TPS16632RGET 技术参数

TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.27A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD TPS2010ADG4 TPS2010ADR