TSAS-P1-5

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TSAS-P1-5 技术参数

TSAL7600 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 15mW/sr @ 100mA 60° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:15mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:60° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSAL6400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 25mW/sr @ 100mA 50° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:25mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:50° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSAL6200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 40mW/sr @ 100mA 34° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:40mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:34° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSAL6100 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 80mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:80mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSAL5300 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 30mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:44° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSB12LV21BPGF TSB12LV21BPGFG4 TSB12LV26IPZT TSB12LV26PZT TSB12LV26PZTG4 TSB12LV26TPZEP TSB12LV32IPZ TSB12LV32PZ TSB12LV32PZG4 TSB12LV32TPZEP TSB14AA1AIPFB TSB14AA1APFB TSB14AA1APFBG4 TSB14AA1PFB TSB14AA1PFBG4 TSB14AA1TPFB TSB14C01APM TSB14C01APMR