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TSC51DT-12CB

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    TSC51DT-12CB

    TSC51DT-12CB

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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TSC51DT-12CB 技术参数
  • TSC428MJA/883B 功能描述:功率驱动器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TSC428EPA 功能描述:功率驱动器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TSC428CBA+T 功能描述:功率驱动器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TSC428CBA+ 功能描述:功率驱动器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TSC427MJA/883B 功能描述:功率驱动器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TSC5804DCP ROG TSC63 TSC741CZ C0G TSC742CZ C0G TSC80251G2D-16CB TSC80251G2D-16CBR TSC80251G2D-24CB TSC80251G2D-24CE TSC80251G2D-24IA TSC80251G2D-24IB TSC80251G2D-24IBR TSC80251G2D-L16CB TSC80251G2D-L16CBR TSC80251G2D-L16CE TSC80251G2D-L16CER TSC87251G2D-16CB TSC87251G2D-16CBR TSC87251G2D-24CB
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