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TSN525M60 S4G

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TSN525M60 S4G 技术参数
  • TSML1030 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 3mW/sr @ 20mA 24° 2-SMD, Yoke Bend 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,轭形弯曲 标准包装:1 TSML1020 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 3mW/sr @ 20mA 24° 2-SMD, Gull Wing 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 标准包装:1 TSML1000 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 3mW/sr @ 20mA 24° 2-SMD, Z-Bend 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d 标准包装:1 TSMF1030 功能描述:Infrared (IR) Emitter 890nm 1.3V 100mA 2.5mW/sr @ 20mA 34° 2-SMD, Yoke Bend 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):2.5mW/sr @ 20mA 波长:890nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:34° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,轭形弯曲 标准包装:1 TSMF1020 功能描述:Infrared (IR) Emitter 890nm 1.3V 100mA 2.5mW/sr @ 20mA 34° 2-SMD, Gull Wing 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):2.5mW/sr @ 20mA 波长:890nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:34° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 标准包装:1 TSOD1F6HM RVG TSOD1F8HM RVG TSOP1733 TSOP2130 TSOP2133 TSOP2136 TSOP2137 TSOP2138 TSOP2140 TSOP2156 TSOP2230 TSOP2233 TSOP2236 TSOP2237 TSOP2238 TSOP2240 TSOP2256 TSOP2330
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