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TCDT1101G

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TCDT1101G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 输入类型
  • DC
  • 最大集电极/发射极电压
  • 70 V
  • 最大集电极/发射极饱和电压
  • 0.4 V
  • 绝缘电压
  • 5300 Vrms
  • 电流传递比
  • 100 % to 200 %
  • 最大正向二极管电压
  • 1.65 V
  • 最大输入二极管电流
  • 60 mA
  • 最大集电极电流
  • 100 mA
  • 最大功率耗散
  • 100 mW
  • 最大工作温度
  • + 110 C
  • 最小工作温度
  • - 55 C
  • 封装 / 箱体
  • DIP-4
  • 封装
  • Bulk
TCDT1101G 技术参数
配单专家

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