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TPD4E001DRSR

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功能描述
ESD 抑制器 Lo-Cap 4Ch +/-15-kV ESD Prot Array
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
通道
8 Channels
击穿电压
8 V
电容
45 pF
端接类型
SMD/SMT
封装 / 箱体
uQFN-16
功率耗散 Pd
工作温度范围
- 40 C to + 85 C

TPD4E001DRSR 技术参数

TPD4E001DRLRG4 功能描述:TVS DIODE 5.5VWM SOT6 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:5.5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:11V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:100W 电源线路保护:是应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:6-SOT 标准包装:1 TPD4E001DRLR 功能描述:TVS DIODE 5.5VWM SOT6 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:5.5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:11V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:100W 电源线路保护:是应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:6-SOT 标准包装:1 TPD4E001DPKT 功能描述:TVS DIODE 5.5VWM 6USON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:5.5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:11V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:100W 电源线路保护:是应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFDFN 供应商器件封装:6-USON（1.6x1.6）标准包装:1 TPD4E001DPKR 功能描述:TVS DIODE 5.5VWM 6USON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:5.5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:11V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:100W 电源线路保护:是应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFDFN 供应商器件封装:6-USON（1.6x1.6）标准包装:1 TPD4E001DCKR 功能描述:TVS DIODE 5.5VWM SC70-6 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:5.5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:11V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:100W 电源线路保护:是应用:以太网不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 TPD4E05U06DQAEVM TPD4E05U06DQAR TPD4E05U06QDQARQ1 TPD4E101DPWR TPD4E110DPWEVM TPD4E110DPWR TPD4E1B06DCKEVM TPD4E1B06DCKR TPD4E1B06DRLR TPD4E1U06DBVEVM TPD4E1U06DBVR TPD4E1U06DCKEVM TPD4E1U06DCKR TPD4E6B06DPWR TPD4EUSB30DQAR TPD4F003DQDR TPD4F202YFUR TPD4S009DBVR