型号: | T431616E-7SG |
厂商: | TM Technology, Inc. |
英文描述: | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
中文描述: | 100万× 16内存为512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
文件页数: | 66/74页 |
文件大小: | 781K |
代理商: | T431616E-7SG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
T436416A | 4M X 16 SDRAM |
T436416A-10S | 4M X 16 SDRAM |
T436416A-10SG | Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
T436416A-6S | 4M X 16 SDRAM |
T436416A-6SG | 4M X 16 SDRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
T4322 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
T4323 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
T4333 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
T43331G | 制造商:BITECH 制造商全称:Bi technologies 功能描述:Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks |
T43331J | 制造商:BITECH 制造商全称:Bi technologies 功能描述:Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks |