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参数资料
| 型号： | T436416C-7S |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100万x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 20/28页 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | T436416C-7S |
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TE
CH
tm
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
T436416C
TM Technology Inc. reserves the right
P.20
to change products or specifications without notice.
Publication Date: AUG. 2004
Revision: A
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
A 1 3 ,A 1 2
A 1 0 /A P
C L = 2
C L = 3
W E
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H IG H
D Q M
D Q
:D o n 't ca re
Q A a 0
R A a
C A a
R B b
C B b
R A c
C A c
R A a
R B b
R A c
Q A a 1
Q A a 2
Q A a 3
Q A a 0
Q A a 1
Q A a 2
Q A a 3
D B b 0
D B b 1
D B b 2
D B b 3
D B b 0
D B b 1
D B b 2
D B b 3
Q A c 0
Q A c 0
Q A c 1
Q A c 2
Q A c 1
* N o te 1
t
C D L
R o w A ctiv e
(A -B a n k )
R ea d (A -
B a n k )
R o w A ctiv e
(B -B a n k )
P rec h a rg e
(A -B a n k )
W rite (B -
B a n k )
R o w A ctiv e
(A -B a n k )
R ea d (A -
B a n k )
*Note : 1.
t
CDL
should be met to complete write.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416C-7SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5C | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5CG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T436416C-7SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5CG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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