产品分类 | 电容器 >> 钽 | 描述 | CAP TANT 0.47UF 35V 20% 1206 |
产品培训模块 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors |
产品目录绘图 | B45(19,49), B76(00,30) Series Bottom B45(19,49), B76(00,30) Series Side |
标准包装 | 1 | 系列 | B45196H |
电容 | 0.47µF |
电压 - 额定 | 35V |
容差 | ±20% |
ESR(等效串联电阻) | 11 欧姆 |
类型 | 模制 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 1206(3216 公制) |
尺寸/尺寸 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.071"(1.80mm) |
引线间隔 | - |
制造商尺寸代码 | A |
特点 | 通用 |
包装 | 剪切带 (CT) |
寿命@温度 | - |
产品目录页面 | 2040 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 495-2277-1 |
T491A474M035ZT 同类产品
型号 | IRF7603TR | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | International Rectifier | 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 |
产品目录绘图 | IR Hexfet Micro-8 |
标准包装 | 1 |
系列 | HEXFET® | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 3.7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商设备封装 | Micro8? |
包装 | 标准包装 |
产品目录页面 | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IRF7603DKR |
型号 | T491A474M035ZT | 数量 | 4,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | Kemet | 描述 | CAP TANT 0.47UF 35V 20% 1206 |
产品培训模块 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors |
产品目录绘图 | B45(19,49), B76(00,30) Series Bottom B45(19,49), B76(00,30) Series Side |
标准包装 | 2,000 | 系列 | B45196H |
电容 | 0.47µF |
电压 - 额定 | 35V |
容差 | ±20% |
ESR(等效串联电阻) | 11 欧姆 |
类型 | 模制 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 1206(3216 公制) |
尺寸/尺寸 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.071"(1.80mm) |
引线间隔 | - |
制造商尺寸代码 | A |
特点 | 通用 |
包装 | 带卷 (TR) |
寿命@温度 | - |
产品目录页面 | 2040 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 495-2277-2 B45196H6474M109 |
型号 | IRF7603TR | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | International Rectifier | 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 |
产品目录绘图 | IR Hexfet Micro-8 |
标准包装 | 1 |
系列 | HEXFET® | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 3.7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商设备封装 | Micro8? |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | *IRF7603TR IRF7603 IRF7603CT |
型号 | T491A685K016ZT | 数量 | 18,471 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | Kemet | 描述 | CAP TANT 6.8UF 16V 10% 1206 |
产品培训模块 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors |
产品目录绘图 | B45(19,49), B76(00,30) Series Bottom B45(19,49), B76(00,30) Series Side |
标准包装 | 1 | 系列 | B45196H |
电容 | 6.8µF |
电压 - 额定 | 16V |
容差 | ±10% |
ESR(等效串联电阻) | 3.8 欧姆 |
类型 | 模制 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 1206(3216 公制) |
尺寸/尺寸 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.071"(1.80mm) |
引线间隔 | - |
制造商尺寸代码 | A |
特点 | 通用 |
包装 | 标准包装 |
寿命@温度 | - |
产品目录页面 | 2039 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 495-2234-6 |
型号 | IRF7601TR | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | International Rectifier | 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 |
产品目录绘图 | IR Hexfet Micro-8 |
标准包装 | 1 |
系列 | HEXFET® | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 3.8A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商设备封装 | Micro8? |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | IRF7601DKR |
型号 | T491A685K016ZT | 数量 | 18,471 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | Kemet | 描述 | CAP TANT 6.8UF 16V 10% 1206 |
产品培训模块 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors |
产品目录绘图 | B45(19,49), B76(00,30) Series Bottom B45(19,49), B76(00,30) Series Side |
标准包装 | 1 | 系列 | B45196H |
电容 | 6.8µF |
电压 - 额定 | 16V |
容差 | ±10% |
ESR(等效串联电阻) | 3.8 欧姆 |
类型 | 模制 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 1206(3216 公制) |
尺寸/尺寸 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.071"(1.80mm) |
引线间隔 | - |
制造商尺寸代码 | A |
特点 | 通用 |
包装 | 剪切带 (CT) |
寿命@温度 | - |
产品目录页面 | 2039 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 495-2234-1 |
型号 | IRF7601TR | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | International Rectifier | 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 |
产品目录绘图 | IR Hexfet Micro-8 |
标准包装 | 1 |
系列 | HEXFET® | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 3.8A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商设备封装 | Micro8? |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | *IRF7601TR IRF7601 IRF7601CT |
型号 | T491A685K016ZT | 数量 | 18,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | Kemet | 描述 | CAP TANT 6.8UF 16V 10% 1206 |
产品培训模块 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors |
产品目录绘图 | B45(19,49), B76(00,30) Series Bottom B45(19,49), B76(00,30) Series Side |
标准包装 | 2,000 | 系列 | B45196H |
电容 | 6.8µF |
电压 - 额定 | 16V |
容差 | ±10% |
ESR(等效串联电阻) | 3.8 欧姆 |
类型 | 模制 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 1206(3216 公制) |
尺寸/尺寸 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.071"(1.80mm) |
引线间隔 | - |
制造商尺寸代码 | A |
特点 | 通用 |
包装 | 带卷 (TR) |
寿命@温度 | - |
产品目录页面 | 2039 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 495-2234-2 B45196H3685K109 |
型号 | IRF7524D1TR | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | International Rectifier | 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 |
产品目录绘图 | IR Hexfet Micro-8 |
标准包装 | 1 |
系列 | FETKY™ | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 二极管(隔离式) |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 270 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 240pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商设备封装 | Micro8? |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | IRF7524D1DKR |
型号 | IRF7524D1TR | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 电容器 | 产品分类 | 钽 |
制造商 | International Rectifier | 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 |
产品目录绘图 | IR Hexfet Micro-8 |
标准包装 | 1 |
系列 | FETKY™ | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 二极管(隔离式) |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 270 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 240pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商设备封装 | Micro8? |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | *IRF7524D1TR IRF7524D1 IRF7524D1CT |