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参数资料
| 型号： | T85HFL20S02 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FAST RECOVERY DIODES |
| 中文描述： | 快速恢复二极管 |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | T85HFL20S02 |
2
www.irf.com
T..HFL Series
Bulletin I27107 rev. A 09/97
I
F(AV)
Max. average fwd current
@ Case temperature
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
I
FSM
forward, non-repetitive
surge current
40
70
63
475
500
400
420
1130
1030
800
730
70
70
110
830
870
700
730
3460
3160
2450
2230
85
70
133
1300
1370
1100
1150
8550
7810
6050
5520
A
180
o
conduction, half sine wave
o
C
A
A
Max. peak, one-cycle
t = 10ms No voltage
t = 8.3ms reapplied
t = 10ms 100% V
RRM
t = 8.3ms reapplied
t = 10ms No voltage
t = 8.3ms reapplied
t = 10ms 100% V
RRM
t = 8.3ms reapplied
Sinusoidal half wave,
nitial T
J
= T
J
max.
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
A
2
s
I
2
√
t
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
slope resistance
r
f2
slope resistance
Maximum I
2
√
t for fusing
11300
34600
85500
A
2
√
s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Low level value of forward
High level value of forward
I
FM
=
π
x I
F(AV)
, T
J
= 25
o
C, tp = 400μs square wave
Av. power = V
F(TO)
x I
F(AV)
+ r
f
x (I
F(RMS)
)
2
7.0
2.77
2.15
m
T
J
= 25
o
C, (16.7% x
π
x I
F(AV)
< I <
π
x I
F(AV)
)
0.82
0.87
0.84
V
T
J
= 25
o
C, (16.7% x
π
x I
F(AV)
< I <
π
x I
F(AV)
)
0.84
0.90
0.86
T
J
= 25
o
C, (I >
π
x I
F(AV)
)
6.8
2.67
2.07
T
J
= 25
o
C, (I >
π
x I
F(AV)
)
Parameters
T40HFL T70HFL T85HFL
Units Conditions
V
FM
Max. forward voltage drop
1.60
1.73
1.55
V
Type number
Voltage
Code
t
V
RRM
, maximum repetitive
V
100
V
RSM
, maximum non-repetitive
peak reverse voltage
V
150
I
RRM
max.
T
J
μ A
100
Code
10
S02, S05, S10
T40HFL..
T70HFL..
20
40
S02, S05, S10
S02, S05, S10
200
400
300
500
T85HFL..
60
80
S02, S05, S10
S05, S10
600
800
700
900
100
S05, S10
1000
1100
I
RRM
V
INS
Max. peak rev. leak. current
20
mA
T
J
= 125
o
C
50Hz, circuit to base, all terminals shorted
T
J
= 25°C, t = 1 s
RMS isolation voltage
3500
V
Voltage Ratings
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Forward Conduction
Blocking
Parameters
T40HFL T70HFL T85HFL
Units Conditions
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T85HFL20S05 | FAST RECOVERY DIODES |
| T85HFL20S10 | FAST RECOVERY DIODES |
| T85HFL40S02 | FAST RECOVERY DIODES |
| T85HFL40S05 | FAST RECOVERY DIODES |
| T85HFL40S10 | FAST RECOVERY DIODES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T85HFL20S05 | 功能描述:DIODE FAST REC 200V 85A D-55 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| T85HFL20S10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (T-Modules), 40 A/70 A/85 A |
| T85HFL40S02 | 功能描述:DIODE FAST REC 400V 85A D-55 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| T85HFL40S05 | 功能描述:DIODE FAST REC 400V 85A D-55 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| T85HFL40S10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (T-Modules), 40 A/70 A/85 A |
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