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参数资料
| 型号： | TIP33B |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅功率晶体管 |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 584K |
| 代理商： | TIP33B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP33C | CONN, D, 37POS, MTL, SHL, EMI, JUNCTION, (890183) |
| TIP34B | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP34C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP35A | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP35B | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIP33BF | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL |
| TIP33B-S | 功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP33C | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP33C_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power transistors |
| TIP33CF | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL |
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