UC3625AJ

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UC3625AJ
深圳市一线半导体有限公司
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UC3625AJ 技术参数

UC3611N 功能描述:Diode Array 4 Independent Schottky 50V 3A (DC) Through Hole, Radial 8-DIP (0.300", 7.62mm) 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:4 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:3A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 40V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 UC3611DW 功能描述:Diode Array 4 Independent Schottky 50V 3A (DC) Surface Mount 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:4 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:3A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 40V 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 UC3610N 功能描述:IC SCHOTTKY DIODE BRIDGE 8-DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:单相，双路肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - DC 正向（If）:3A 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 UC3610DW 功能描述:IC SCHOTTKY DIODE BRIDGE 16-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:单相，双路肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - DC 正向（If）:3A 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 UC3578N 功能描述:DC/DC 开关控制器 Buck PWM Stepdown Vltg Reg RoHS:否制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK UC3637DW UC3637DWG4 UC3637DWTR UC3637N UC3637NG4 UC3637Q UC3637QG3 UC3638DW UC3638DWG4 UC3638DWTR UC3638DWTRG4 UC3638N UC3638NG4 UC3638Q UC3638QG3 UC3705D UC3705DG4 UC3705DTR