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UF4007HR1G

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UF4007HR1G 技术参数
  • UF4007-G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 UF4006-G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 UF4005-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:20pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 UF4004TA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 400V 1A DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 UF4004-G 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 300V 不同?Vr,F 时的电容:20pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 UF5401-E3/54 UF5401-E3/73 UF5402-E3/54 UF5402-E3/73 UF5403-E3/54 UF5403-E3/73 UF5404/54 UF5404-E3/54 UF5404-E3/73 UF5404-TP UF5405-E3/54 UF5405-E3/73 UF5406-E3/54 UF5406-E3/73 UF5407-E3/54 UF5407-E3/73 UF5407-TP UF5408-E3/54
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