ULN2003APG,CN

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ULN2003APG,CN
上海鑫科润电子科技有限公司
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ULN2003APG,CN 技术参数

ULN2003ANSR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 350mA，500μA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）供应商器件封装:16-SO 标准包装:1 ULN2003ANE4 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 350mA，500μA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ULN2003AN 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 350mA，500μA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ULN2003AIPWR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:1 ULN2003AIPW 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:90 ULN2003D1013TR ULN2003F12FN-7 ULN2003LVDR ULN2003LVPWR ULN2003V12DR ULN2003V12PWR ULN2003V12S16-13 ULN2003V12T16-13 ULN2004A ULN2004AD ULN2004AD16-U ULN2004ADE4 ULN2004ADG4 ULN2004ADR ULN2004ADRE4 ULN2004ADRG4 ULN2004AFWG,N,E ULN2004AID