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ULPSMD11-2-4345PPTR

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    ULPSMD11-2-4345PPTR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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ULPSMD11-2-4345PPTR 技术参数
  • ULN2804A 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:8 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V 功率 - 最大值:2.25W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:18-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:18-DIP 标准包装:20 ULN2803ANE4 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:8 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:18-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:18-PDIP 标准包装:20 ULN2803AN 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:8 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:18-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:18-PDIP 标准包装:20 ULN2803ADWRG4 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:8 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:18-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:18-SOIC 标准包装:1 ULN2803ADWR 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:8 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:18-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:18-SOIC 标准包装:1 ULQ2003ADR ULQ2003ADR2G ULQ2003ADRG4 ULQ2003AN ULQ2003AQDRQ1 ULQ2003ATDG4Q1 ULQ2003ATDQ1 ULQ2003ATDRG4Q1 ULQ2003ATDRQ1 ULQ2003ATPWRQ1 ULQ2003D1 ULQ2003D1013TR ULQ2003D1013TRY ULQ2004A ULQ2004AD ULQ2004ADG4 ULQ2004ADR ULQ2004ADRG4
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