ULQ2003AN(P/B)

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ULQ2003AN(P/B) 技术参数

ULQ2003AN 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ULQ2003ADR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1 ULQ2003ADG4 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ULQ2003AD 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ULQ2003A 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 350mA，2V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-DIP 标准包装:25 ULQ2004A ULQ2004AD ULQ2004ADG4 ULQ2004ADR ULQ2004ADRG4 ULQ2004AN ULQ2004ATDRG4Q1 ULQ2004ATDRQ1 ULQ2004D1013TR ULQ2801A ULQ2802A ULQ2803A ULQ2804A ULQ-3.3/15-D48N-C ULQ-3.3/15-D48P-C ULQ-3.3/20-D24N-C ULQ-3.3/20-D24P-C ULQ-3.3/20-D48N-C