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UCC27211DR

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功能描述
功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

UCC27211DR 技术参数

UCC27211DPRT 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211DPRR 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211DDAR 功能描述:功率驱动器IC 4A Peak,Hi Freq High/Low-Side Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211DDA 功能描述:功率驱动器IC 4A Peak,Hi Freq High/Low-Side Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211D 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27221PWPRG4 UCC27222EVM UCC27222PWP UCC27222PWPG4 UCC27222PWPR UCC27223EVM-001 UCC27223PWP UCC27223PWPG4 UCC27223PWPR UCC27321D UCC27321DG4 UCC27321DGN UCC27321DGNG4 UCC27321DGNR UCC27321DR UCC27321DRG4 UCC27321P UCC27321PE4