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UCC27537DBVR

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功能描述
功率驱动器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Gate Dvr
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

UCC27537DBVR 技术参数

UCC27536DBVT 功能描述:功率驱动器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Gate Dvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27536DBVR 功能描述:功率驱动器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Gate Dvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27533DBVT 功能描述:功率驱动器IC 2.5A/5A 35Vmax VDD Sgl Channel Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27533DBVR 功能描述:功率驱动器IC 35Vmax VDD SGL CH Dvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27532QDBVRQ1 功能描述:IC IGBT GATE DRIVER SOT-23-6 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:高压侧或低压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 32 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.2V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，5A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，7ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 UCC27712D UCC27712DR UCC27712EVM-287 UCC27712QDQ1 UCC27712QDRQ1 UCC27714D UCC27714DR UCC27714EVM-551 UCC2800D UCC2800DG4 UCC2800DTR UCC2800DTRG4 UCC2800MDREP UCC2800N UCC2800NG4 UCC2800PW UCC2800PWG4 UCC2800PWTR