VLF252012MT-1R5N-CA

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VLF252012MT-1R5N-CA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
TDK Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

VLF252012MT-1R5N-CA
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TDK
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

VLF252012MT-1R5N-CA
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
3500
TDK Corporation
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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VLF252012MT-1R5N-CA PDF下载

功能描述
1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.17A 59 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
VLF-M-CA
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
1.5μH
容差
±30%
额定电流
2.17A
电流 - 饱和值
1.22A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
59 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 105°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.047"（1.20mm）
标准包装
1

VLF252012MT-1R5N-CA 技术参数

VLF252012MT-1R5N 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.17A 69 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1.5μH 容差:±30% 额定电流:2.17A 电流 - 饱和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:69 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 VLF252012MT-1R0N-CA 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1μH 容差:±30% 额定电流:2.47A 电流 - 饱和值:1.44A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:52 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 VLF252012MT-1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1μH 容差:±30% 额定电流:2.47A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:52 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 VLF252012MT-150M-CA 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 630mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:15μH 容差:±20% 额定电流:630mA 电流 - 饱和值:370mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:680 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 VLF252012MT-150M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 630mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:15μH 容差:±20% 额定电流:630mA 电流 - 饱和值:330mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:680 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 VLF252012MT-6R8M-CA VLF252012MT-R47N VLF252012MT-R47N-CA VLF252012MT-R68N VLF252012MT-R68N-CA VLF252015MT-100M VLF252015MT-100M-CA VLF252015MT-150M VLF252015MT-150M-CA VLF252015MT-1R0N VLF252015MT-1R0N-CA VLF252015MT-1R5N VLF252015MT-1R5N-CA VLF252015MT-220M VLF252015MT-220M-CA VLF252015MT-2R2M VLF252015MT-2R2M-CA VLF252015MT-3R3M