您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > V字母型号搜索 >

VLS2012ET-6R8N

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • VLS2012ET-6R8N
    VLS2012ET-6R8N

    VLS2012ET-6R8N

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 1625

  • TDK

  • SMD

  • 14+

  • -
  • 全新原装现货

  • VLS2012ET-6R8N
    VLS2012ET-6R8N

    VLS2012ET-6R8N

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 4000

  • TDK

  • SMD

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品。

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
VLS2012ET-6R8N PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
VLS2012ET-6R8N 技术参数
  • VLS2012ET-6R8M-CA 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 690mA 498 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:690mA 电流 - 饱和值:570mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):498 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.079" 宽(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS2012ET-6R8M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 570mA 498 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:570mA 电流 - 饱和值:570mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):498 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.079" 宽(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS2012ET-4R7M-CA 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 840mA 336 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:840mA 电流 - 饱和值:700mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):336 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.079" 宽(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS2012ET-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 700mA 336 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:700mA 电流 - 饱和值:700mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):336 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.079" 宽(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS2012ET-3R3M-CA 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1A 228 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:840mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):228 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.079" 宽(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS201610CX-2R2M VLS201610CX-3R3M VLS201610CX-4R7M VLS201610CX-6R8M VLS201610CX-R24M VLS201610CX-R47M VLS201610CX-R68M VLS201610ET-100M VLS201610ET-100M-CA VLS201610ET-1R0N VLS201610ET-1R0N-CA VLS201610ET-1R5N VLS201610ET-1R5N-CA VLS201610ET-2R2M VLS201610ET-2R2M-CA VLS201610ET-3R3M VLS201610ET-3R3M-CA VLS201610ET-4R7M
配单专家

在采购VLS2012ET-6R8N进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买VLS2012ET-6R8N产品风险,建议您在购买VLS2012ET-6R8N相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的VLS2012ET-6R8N信息由会员自行提供,VLS2012ET-6R8N内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号