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VLS201612ET-2R2M-1

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 6126

  • TDK/东电化

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  • 原厂原装正品现货

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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

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  • 乾坤

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • TDK/东电化

  • 原厂封装

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  • VLS201612ET-2R2M-1
    VLS201612ET-2R2M-1

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4824

  • TDK

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  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • VLS201612ET-2R2M-1
    VLS201612ET-2R2M-1

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  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

  • 59880

  • TDK/东电化

  • 2016

  • 21+

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VLS201612ET-2R2M-1 技术参数
  • VLS201612ET-2R2M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 195 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.05A 电流 - 饱和值:1.05A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):195 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS201612ET-1R5N-CA 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 159 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±30% 额定电流:1.25A 电流 - 饱和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):159 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS201612ET-1R5N 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 159 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±30% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):159 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS201612ET-1R0N-CA 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 1.65A 93 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±30% 额定电流:1.65A 电流 - 饱和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):93 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS201612ET-1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 93 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±30% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):93 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLS201612ET-R68N VLS201612ET-R68N-CA VLS201612HBX-100M-1 VLS201612HBX-1R0M-1 VLS201612HBX-1R5M-1 VLS201612HBX-2R2M-1 VLS201612HBX-3R3M-1 VLS201612HBX-4R7M-1 VLS201612HBX-6R8M-1 VLS201612HBX-R24M-1 VLS201612HBX-R33M-1 VLS201612HBX-R47M-1 VLS201612HBX-R68M-1 VLS252008ET-100M VLS252008ET-100M-CA VLS252008ET-1R0N VLS252008ET-1R0N-CA VLS252008ET-1R5N
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