VLS252010HBX-6R8M-1

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VLS252010HBX-6R8M-1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
TDK Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

VLS252010HBX-6R8M-1
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
59880
TDK/东电化
2520
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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功能描述
6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 406 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
VLS-HBX-1
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
绕线
材料 - 磁芯
金属
电感
6.8μH
容差
±20%
额定电流
1.1A
电流 - 饱和值
750mA
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
406 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 105°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.039"（1.00mm）
标准包装
1

VLS252010HBX-6R8M-1 技术参数

VLS252010HBX-4R7M-1 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 250 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:1.09A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:250 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010HBX-3R3M-1 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 178 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.26A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:178 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010HBX-2R2M-1 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.76A 120 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.76A 电流 - 饱和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:120 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010HBX-1R5M-1 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.02A 94 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.02A 电流 - 饱和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:94 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010HBX-1R0M-1 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.55A 65 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:1μH 容差:±20% 额定电流:2.55A 电流 - 饱和值:3.22A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:65 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010T-4R7M VLS252010T-6R8M VLS252010T-R47N VLS252010T-R68N VLS252012CX-100M VLS252012CX-150M VLS252012CX-1R0M VLS252012CX-1R5M VLS252012CX-220M VLS252012CX-2R2M VLS252012CX-3R3M VLS252012CX-4R7M VLS252012CX-6R8M VLS252012ET-100M VLS252012ET-100M-CA VLS252012ET-1R0N VLS252012ET-1R0N-CA VLS252012ET-1R5N