VN5201CNE

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深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
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VN5201CNE 技术参数

VN5160STR-E 功能描述:功率驱动器IC Sngl Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5160S-E 功能描述:功率驱动器IC Sngl Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5050JTR-E 功能描述:功率驱动器IC Sngl Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5050J-E 功能描述:功率驱动器IC Sngl Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5050AJTR-E 功能描述:功率驱动器IC Sngl Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E006ASPTR-E VN5E010AH-E VN5E010AHTR-E VN5E010MH-E VN5E010MHTR-E VN5E016AFHTR-E VN5E016AH-E VN5E016AHTR-E VN5E016MH-E VN5E016MHTR-E VN5E025AJ-E VN5E025AJTR-E VN5E025ASOTR-E VN5E025MJ-E VN5E025MJTR-E VN5E050AJ-E VN5E050AJTR-E VN5E050ASOTR-E