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VN5E010NA

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    VN5E010NAHTR-E

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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 5000

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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

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    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 50000

  • ST/意法

  • TO252

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  • 长期代理优势供应 原装进口 可开增值发...

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VN5E010NA 技术参数
  • VN5E010MHTR-E 功能描述:功率驱动器IC SNGL CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E010MH-E 功能描述:功率驱动器IC 10 mOhm High-Side Driver 41 Vcc 85A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E010AHTR-E 功能描述:功率驱动器IC HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E010AH-E 功能描述:功率驱动器IC 10 mOhm High-Side Driver 41 Vcc 85A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E006ASPTR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 Single Ch High Side 41V VCC 6mOhm 90A RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VN5E025MJTR-E VN5E050AJ-E VN5E050AJTR-E VN5E050ASOTR-E VN5E050J-E VN5E050JTR-E VN5E050MJ-E VN5E050MJTR-E VN5E160AS-E VN5E160ASOTR-E VN5E160ASTR-E VN5E160MS-E VN5E160MSTR-E VN5E160S-E VN5E160STR-E VN5MB02-E VN5MB02TR-E VN5R003H-E
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